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SQJ500AEP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 7700 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY11.280 | CNY56.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 50+ | CNY9.460 (CNY10.6898) |
| 100+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
| 500+ | CNY5.580 (CNY6.3054) |
| 1500+ | CNY5.470 (CNY6.1811) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ500AEP-T1_GE3复制
库存编号
复卷3470699RL
切割卷带3470699
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道7700µohm
漏源导通电阻P沟道7700µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
7700µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
7700µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00023