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SQJ481EP-T1"GE3
场效应管, MOSFET, P沟道, 80V, 16A, POWERPAKSO
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 10+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 100+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
| 500+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 1000+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ481EP-T1"GE3
库存编号3974064
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P Channel
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续16A
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散45W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P Channel
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536