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SQJ444EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 60 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.290 | CNY17.29 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.290 (CNY19.5377) |
| 10+ | CNY11.070 (CNY12.5091) |
| 100+ | CNY7.430 (CNY8.3959) |
| 500+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 1000+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 5000+ | CNY4.740 (CNY5.3562) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ444EP-T1_GE3
库存编号
复卷3929258RL
切割卷带3929258
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻3200µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散68W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
68W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001