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SQJ208EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 3200 µohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.920 | CNY16.92 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.920 (CNY19.1196) |
| 10+ | CNY10.750 (CNY12.1475) |
| 100+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
| 500+ | CNY5.880 (CNY6.6444) |
| 1000+ | CNY4.920 (CNY5.5596) |
| 5000+ | CNY4.670 (CNY5.2771) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ208EP-T1_GE3复制
库存编号
复卷3104166RL
切割卷带3104166
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道3200µohm
漏源导通电阻P沟道3200µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道48W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
3200µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
48W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
3200µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009