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SQJ200EP-T1_JE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 20 V, 60 A, 3700 µohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY10.060 | CNY50.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.060 (CNY11.3678) |
| 50+ | CNY8.430 (CNY9.5259) |
| 100+ | CNY6.790 (CNY7.6727) |
| 500+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 1500+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ200EP-T1_JE3复制
库存编号
复卷4472932RL
切割卷带4472932
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道3700µohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数4引脚
耗散功率N沟道48W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
4引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
3700µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
48W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001