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SQJ190ELP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.470 | CNY10.47 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.470 (CNY11.8311) |
| 10+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
| 100+ | CNY4.250 (CNY4.8025) |
| 500+ | CNY3.340 (CNY3.7742) |
| 1000+ | CNY2.130 (CNY2.4069) |
| 5000+ | CNY2.090 (CNY2.3617) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ190ELP-T1_GE3
库存编号
复卷4260743RL
切割卷带4260743
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续19.6A
漏源接通状态电阻0.05ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散45W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074