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SQJ186ELP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY13.570 | CNY13.57 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
| 10+ | CNY8.580 (CNY9.6954) |
| 100+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 500+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
| 1000+ | CNY3.580 (CNY4.0454) |
| 5000+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
66A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
135W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001