打印页面
SQJ164ELP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：21 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY13.870 | CNY13.87 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.870 (CNY15.6731) |
| 10+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 100+ | CNY5.890 (CNY6.6557) |
| 500+ | CNY4.650 (CNY5.2545) |
| 1000+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 5000+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ164ELP-T1_GE3复制
制造商标准货期21 周
库存编号
复卷3773145RL
切割卷带3773145
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续75A
漏源接通状态电阻0.012ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO-8L
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散187W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
75A
晶体管封装类型
PowerPAK SO-8L
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
187W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001