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SQJ150EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 66 A, 8400 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.460 | CNY9.46 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.460 (CNY10.6898) |
| 10+ | CNY5.920 (CNY6.6896) |
| 100+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 500+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
| 1000+ | CNY2.670 (CNY3.0171) |
| 5000+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ150EP-T1_GE3
库存编号
复卷3586081RL
切割卷带3586081
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续66A
漏源接通状态电阻8400µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散65W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
66A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
8400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001