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SQJ126EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.730 | CNY22.73 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.730 (CNY25.6849) |
| 10+ | CNY14.700 (CNY16.611) |
| 100+ | CNY10.030 (CNY11.3339) |
| 500+ | CNY8.030 (CNY9.0739) |
| 1000+ | CNY7.000 (CNY7.910) |
| 5000+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJ126EP-T1_GE3复制
库存编号
复卷3765813RL
切割卷带3765813
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续500A
漏源接通状态电阻940µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散500W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
- Automotive N-channel 30V (D-S) 175°C MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
940µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001