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SQJ112EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 95 A, 0.0077 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY20.700 (CNY23.391) |
| 10+ | CNY13.230 (CNY14.9499) |
| 100+ | CNY8.820 (CNY9.9666) |
| 500+ | CNY6.920 (CNY7.8196) |
| 1000+ | CNY5.620 (CNY6.3506) |
| 5000+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY103.50 (CNY116.95 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
95A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
185W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0077ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
4引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001