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SQD50N10-8M9L_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 50 A, 0.0089 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY57.400 (CNY64.862) |
| 10+ | CNY38.190 (CNY43.1547) |
| 100+ | CNY26.360 (CNY29.7868) |
| 500+ | CNY21.240 (CNY24.0012) |
| 1000+ | CNY17.390 (CNY19.6507) |
| 5000+ | CNY16.000 (CNY18.080) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQD50N10-8M9L_GE3复制
制造商标准货期27 周
库存编号4835731
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0089ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散136W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0089ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002