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SQD50N04-4M5L_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.570 (CNY22.1141) |
| 10+ | CNY16.240 (CNY18.3512) |
| 100+ | CNY12.880 (CNY14.5544) |
| 500+ | CNY9.050 (CNY10.2265) |
| 1000+ | CNY8.870 (CNY10.0231) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY19.57 (CNY22.11 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.00017