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SQD40052EL_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 30 A, 6000 µohm, TO-252, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 50+ | CNY6.810 (CNY7.6953) |
| 100+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
| 500+ | CNY4.290 (CNY4.8477) |
| 1000+ | CNY3.920 (CNY4.4296) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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品項附註
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产品概述
- Automotive N-channel 40V (D-S) 175°C MOSFET
- TrenchFET® power MOSFET
- Package with low thermal resistance
- 100% Rg and UIS tested
- AEC-Q101 qualified
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-252
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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产品合规证书
重量（千克）：.001