SQA401CEJW-T1_GE3

SQA401CEJW-T1_GE3 是一款汽车级 P 沟道 MOSFET。

• AEC-Q101认证
• 100 %Rg和UIS测试
• TrenchFET® Power MOSFET
• 在 VGS=0，ID=-250μA，TC=25°C 时，漏源击穿电压为-20V（最小值）
• 在 VDS = ±0V，VGS = ±12V，TC = 25°C 时，栅极-源极漏电流最大为 ±100nA
• 在 VDS ≥ 5V，VGS = -4.5V，TC = 25°C 时，导通漏极电流为 -8A 以上
• 在 ID = -2.4A，VGS = -4.5V，TC = 25°C 时，漏源导通电阻为 0.085 ohm（典型值）
• 在 IF = -2A、VGS = 0、TC = 25°C 时，正向电压为 -0.8V（典型值）
• PowerPAK SC-70W-6L 封装
• 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +175°C