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SQ4949EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双P通道, 30 V, 7.5 A
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|---|---|
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| 100+ | CNY6.320 (CNY7.1416) |
| 500+ | CNY6.190 (CNY6.9947) |
| 1000+ | CNY6.040 (CNY6.8252) |
| 5000+ | CNY5.890 (CNY6.6557) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4949EY-T1_GE3复制
库存编号4853753
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道7.5A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.051ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道3.3W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
7.5A
漏源导通电阻P沟道
0.051ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.3W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015