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SQ4946CEY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 7 A, 7 A, 0.033 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.010 | CNY35.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.010 (CNY7.9213) |
| 50+ | CNY5.840 (CNY6.5992) |
| 100+ | CNY4.670 (CNY5.2771) |
| 500+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
| 1000+ | CNY3.350 (CNY3.7855) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4946CEY-T1_GE3
库存编号
复卷3587059RL
切割卷带3587059
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道4W
耗散功率P沟道4W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
4W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
0
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000403