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SQ4940CEY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY10.370 | CNY10.37 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.370 (CNY11.7181) |
| 10+ | CNY6.180 (CNY6.9834) |
| 100+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 500+ | CNY3.360 (CNY3.7968) |
| 1000+ | CNY2.490 (CNY2.8137) |
| 5000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4940CEY-T1_GE3复制
库存编号
复卷4349358RL
切割卷带4349358
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000013