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SQ4920EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 8 A, 0.013 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 100+ | CNY5.220 (CNY5.8986) |
| 500+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
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| 5000+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4920EY-T1_GE3复制
库存编号4853750
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.013ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道4.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.013ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
4.4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015