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SQ4920EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 8 A, 0.013 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.750 (CNY20.0575) |
| 10+ | CNY11.410 (CNY12.8933) |
| 100+ | CNY7.800 (CNY8.814) |
| 500+ | CNY6.240 (CNY7.0512) |
| 1000+ | CNY5.400 (CNY6.102) |
| 5000+ | CNY5.300 (CNY5.989) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.013ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
4.4W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015