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SQ4917EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
包装选项
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技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
5W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001