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SQ4532AEY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.021 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.170 | CNY7.17 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.170 (CNY8.1021) |
| 10+ | CNY4.650 (CNY5.2545) |
| 100+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
| 500+ | CNY3.800 (CNY4.294) |
| 1000+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
| 5000+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4532AEY-T1_GE3复制
库存编号
复卷3470717RL
切割卷带3470717
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道7.3A
连续漏极电流 Id P沟道7.3A
漏源通态电阻N沟道0.021ohm
漏源导通电阻P沟道0.021ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.3W
耗散功率P沟道3.3W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
7.3A
漏源导通电阻P沟道
0.021ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.3W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
7.3A
漏源通态电阻N沟道
0.021ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.3W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001