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SQ4431EY-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 10.8 A, 0.03 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.950 | CNY12.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.950 (CNY14.6335) |
| 10+ | CNY8.240 (CNY9.3112) |
| 100+ | CNY5.520 (CNY6.2376) |
| 500+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 1000+ | CNY3.720 (CNY4.2036) |
| 5000+ | CNY3.650 (CNY4.1245) |
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
10.8A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.0001