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SQ4153EY-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 25 A, 0.00832 ohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.060 (CNY17.0178) |
| 10+ | CNY12.680 (CNY14.3284) |
| 100+ | CNY12.620 (CNY14.2606) |
| 500+ | CNY12.550 (CNY14.1815) |
| 1000+ | CNY12.480 (CNY14.1024) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4153EY-T1_GE3复制
制造商标准货期36 周
库存编号4853691
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续25A
漏源接通状态电阻0.00832ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散7.1W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
25A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
7.1W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.00832ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015