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SQ2325CES-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 150 V, 840 mA, 1.77 ohm, TO-236, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.050 (CNY9.0965) |
| 10+ | CNY5.360 (CNY6.0568) |
| 100+ | CNY3.700 (CNY4.181) |
| 500+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 1000+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
| 5000+ | CNY2.250 (CNY2.5425) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY40.25 (CNY45.48 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
840mA
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
1.77ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.001