打印页面
SIZF928DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm
11,897 有货
需要更多？
11897 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.320 | CNY22.32 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.320 (CNY25.2216) |
| 10+ | CNY14.330 (CNY16.1929) |
| 100+ | CNY9.830 (CNY11.1079) |
| 500+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 1000+ | CNY7.050 (CNY7.9665) |
| 5000+ | CNY6.910 (CNY7.8083) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
Dual N-channel 30V (D-S) MOSFET I typically used in applications such as CPU core power, computer / server peripherals, POL, synchronous buck converter and telecom DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
248A
漏源导通电阻P沟道
530µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
74W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
248A
漏源通态电阻N沟道
530µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001