打印页面
SIZF5302DT-T1-RE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 2700 µohm
12,659 有货
需要更多？
12,659 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY21.710 | CNY21.71 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.710 (CNY24.5323) |
| 10+ | CNY14.020 (CNY15.8426) |
| 100+ | CNY9.690 (CNY10.9497) |
| 500+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 1000+ | CNY6.880 (CNY7.7744) |
| 5000+ | CNY6.750 (CNY7.6275) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF5302DT-T1-RE3复制
库存编号
复卷4006714RL
切割卷带4006714
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道100A
连续漏极电流 Id P沟道100A
漏源通态电阻N沟道2700µohm
漏源导通电阻P沟道2700µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数12引脚
耗散功率N沟道48.1W
耗散功率P沟道48.1W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
100A
漏源导通电阻P沟道
2700µohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
48.1W
产品范围
TrenchFET Gen V Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
100A
漏源通态电阻N沟道
2700µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
48.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001