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SIZF5300DT-T1-UE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 125 A, 0.00243 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.230 (CNY8.1699) |
| 10+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 100+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 500+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 1000+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
| 5000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY36.15 (CNY40.85 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
125A
漏源通态电阻N沟道
0.00243ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001