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SIZ998BDT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY4.160 | CNY4.16 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 10+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 100+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ998BDT-T1-GE3复制
库存编号
复卷3462762RL
切割卷带3462762
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道94.6A
连续漏极电流 Id P沟道94.6A
漏源通态电阻N沟道1800µohm
漏源导通电阻P沟道1800µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道32.9W
耗散功率P沟道32.9W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
94.6A
漏源导通电阻P沟道
1800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
32.9W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
94.6A
漏源通态电阻N沟道
1800µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
32.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001