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SIZ918DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 28 A, 28 A, 0.01 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.320 | CNY20.32 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.320 (CNY22.9616) |
| 10+ | CNY13.240 (CNY14.9612) |
| 100+ | CNY9.200 (CNY10.396) |
| 500+ | CNY7.410 (CNY8.3733) |
| 1000+ | CNY6.410 (CNY7.2433) |
| 5000+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ918DT-T1-GE3
库存编号
复卷2283687RL
切割卷带2283687
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道28A
连续漏极电流 Id P沟道28A
漏源通态电阻N沟道0.01ohm
漏源导通电阻P沟道0.01ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数10引脚
耗散功率N沟道100W
耗散功率P沟道100W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SIZ918DT-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于笔记本电脑系统电源, POL和同步降压转换器应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
- 100％ Rg和UIS测试
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
28A
漏源导通电阻P沟道
0.01ohm
针脚数
10引脚
耗散功率P沟道
100W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
28A
漏源通态电阻N沟道
0.01ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
100W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012