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SIZ346DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 30 A, 8400 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY8.050 | CNY8.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.050 (CNY9.0965) |
| 10+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
| 100+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 500+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
| 1000+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 5000+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
8400µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074