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SIZ342DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 8400 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.060 (CNY10.2378) |
| 10+ | CNY6.660 (CNY7.5258) |
| 100+ | CNY5.170 (CNY5.8421) |
| 500+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 1000+ | CNY3.540 (CNY4.0002) |
| 5000+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
8400µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
8400µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
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重量（千克）：.000001