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SIZ342DDT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 33.6 A, 9200 µohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY5.280 | CNY5.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.280 (CNY5.9664) |
| 10+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
| 100+ | CNY3.020 (CNY3.4126) |
| 500+ | CNY2.410 (CNY2.7233) |
| 1000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 5000+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
33.6A
漏源通态电阻N沟道
9200µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001