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SIZ342ADT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY6.380 (CNY7.2094) |
| 100+ | CNY4.210 (CNY4.7573) |
| 500+ | CNY3.280 (CNY3.7064) |
| 1000+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 5000+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ342ADT-T1-GE3复制
库存编号3365523
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道33.4A
连续漏极电流 Id P沟道33.4A
漏源通态电阻N沟道7800µohm
漏源导通电阻P沟道7800µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道16.7W
耗散功率P沟道16.7W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET GEN IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
33.4A
漏源导通电阻P沟道
7800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET GEN IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
33.4A
漏源通态电阻N沟道
7800µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001