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SIZ340DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 4200 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.100 | CNY14.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.100 (CNY15.933) |
| 10+ | CNY8.770 (CNY9.9101) |
| 100+ | CNY5.750 (CNY6.4975) |
| 500+ | CNY4.520 (CNY5.1076) |
| 1000+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 5000+ | CNY3.430 (CNY3.8759) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ340DT-T1-GE3复制
库存编号
复卷2422226RL
切割卷带2422226
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道40A
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道4200µohm
漏源导通电阻P沟道4200µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SIZ340DT-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于同步降压电池充电和图形卡, POL应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
- 100％ Rg和UIS测试
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
40A
漏源导通电阻P沟道
4200µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
31W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
4200µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033