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SIZ260DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.170 | CNY40.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.170 (CNY9.2321) |
| 50+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
| 100+ | CNY5.500 (CNY6.215) |
| 500+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 1500+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ260DT-T1-GE3
库存编号
复卷3280637RL
切割卷带3280637
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道24.7A
连续漏极电流 Id P沟道24.7A
漏源通态电阻N沟道0.0204ohm
漏源导通电阻P沟道0.0204ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
24.7A
漏源导通电阻P沟道
0.0204ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
24.7A
漏源通态电阻N沟道
0.0204ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000123