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SIZ254DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.920 | CNY16.92 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.920 (CNY19.1196) |
| 10+ | CNY9.070 (CNY10.2491) |
| 100+ | CNY6.110 (CNY6.9043) |
| 500+ | CNY4.850 (CNY5.4805) |
| 1000+ | CNY4.240 (CNY4.7912) |
| 5000+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ254DT-T1-GE3
库存编号
复卷3650267RL
切割卷带3650267
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道70V
漏源电压Vds P沟道70V
连续漏极电流 Id N沟道32.5A
连续漏极电流 Id P沟道32.5A
漏源通态电阻N沟道0.0129ohm
漏源导通电阻P沟道0.0129ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
70V
连续漏极电流 Id P沟道
32.5A
漏源导通电阻P沟道
0.0129ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
70V
连续漏极电流 Id N沟道
32.5A
漏源通态电阻N沟道
0.0129ohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005