打印页面

SISS5110DN-T1-GE3

功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 46.4 A, 0.0126 ohm, PowerPAK 1212-8S, 表面安装

VISHAY
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
VISHAY SISS5110DN-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 46.4 A, 0.0126 ohm, PowerPAK 1212-8S, 表面安装
制造商VISHAY
制造商产品编号SISS5110DN-T1-GE3复制
制造商标准货期82 周
库存编号
复卷4155866RL
切割卷带4155866
产品范围TrenchFET Series
您的零件号
技术数据表

Data Sheet

查看所有技术文档
5,840 有货

需要更多？

5,840 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
包装类型数量单价 (不含增值税):合计
切割卷带1CNY17.900CNY17.90
合计 价钱 (含税) CNY17.90 (CNY20.23)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY17.900 (CNY20.227)
10+CNY11.510 (CNY13.0063)
100+CNY7.860 (CNY8.8818)
500+CNY6.220 (CNY7.0286)
1000+CNY5.290 (CNY5.9777)
5000+CNY5.190 (CNY5.8647)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。

产品信息

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    46.4A

    晶体管封装类型

    PowerPAK 1212-8S

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    56.8W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    100V

    漏源接通状态电阻

    0.0126ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    4V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    TrenchFET Series

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000001