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SISS4402DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK 1212-8S, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.630 | CNY14.63 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.630 (CNY16.5319) |
| 10+ | CNY10.070 (CNY11.3791) |
| 100+ | CNY7.680 (CNY8.6784) |
| 500+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 1000+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
128A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-8S
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074