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SISS32DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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制造商标准交货时间：74 周
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.840 | CNY16.84 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.840 (CNY19.0292) |
| 10+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 100+ | CNY7.280 (CNY8.2264) |
| 500+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
| 1000+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
| 5000+ | CNY4.700 (CNY5.311) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISS32DN-T1-GE3
库存编号
复卷3019141RL
切割卷带3019141
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续63A
漏源接通状态电阻7200µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.8V
功率耗散65.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
7200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001