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SISS10ADN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.120 | CNY40.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.120 (CNY9.1756) |
| 50+ | CNY6.770 (CNY7.6501) |
| 100+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 500+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
| 1500+ | CNY3.790 (CNY4.2827) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISS10ADN-T1-GE3
库存编号
复卷3019139RL
切割卷带3019139
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续109A
漏源接通状态电阻2650µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
功率耗散56.8W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
109A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2650µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001