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SISS02DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.350 | CNY19.35 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.350 (CNY21.8655) |
| 10+ | CNY12.500 (CNY14.125) |
| 100+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 500+ | CNY7.330 (CNY8.2829) |
| 1000+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 5000+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISS02DN-T1-GE3复制
制造商标准货期75 周
库存编号
复卷2857075RL
切割卷带2857075
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻1200µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散65.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
1200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005