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SISH536DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 67.4 A, 3250 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.840 | CNY44.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.840 (CNY9.9892) |
| 10+ | CNY5.460 (CNY6.1698) |
| 100+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 500+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 1000+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 5000+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISH536DN-T1-GE3
库存编号
复卷3677851RL
切割卷带3677851
产品范围TrenchFET Gen V
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续67.4A
漏源接通状态电阻3250µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散26.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
N-channel 30V (D-S) MOSFET in PowerPAK 1212-8SH package is typically used in DC/DC converter, POL, synchronous rectification, battery management, power and load switch applications.
- TrenchFET® Gen V power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Enables higher power density with very low RDS(on) and thermally enhanced compact package
- 100% Rg and UIS tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
67.4A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
26.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3250µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SISH536DN-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005