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SISH536DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 67.4 A, 3250 µohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.970 | CNY7.97 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.970 (CNY9.0061) |
| 10+ | CNY4.730 (CNY5.3449) |
| 100+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 500+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
| 1000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 5000+ | CNY1.980 (CNY2.2374) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISH536DN-T1-GE3复制
库存编号
复卷3677851RL
切割卷带3677851
产品范围TrenchFET Gen V
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续67.4A
漏源接通状态电阻3250µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散26.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen V
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
采用 PowerPAK 1212-8SH 封装的 N 沟道 30V (D-S) MOSFET 通常用于 DC/DC 转换器、POL、同步整流、电池管理、电源和负载开关应用。
- TrenchFET® Gen V 功率 MOSFET
- 极低的 RDS x Qg 性能指标 (FOM)
- 通过极低的 RDS(on) 和热性能增强的紧凑封装实现更高的功率密度
- 100 %Rg和UIS测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
67.4A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
26.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3250µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SISH536DN-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005