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SISF04DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
326 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.400 | CNY15.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.400 (CNY17.402) |
| 10+ | CNY9.830 (CNY11.1079) |
| 100+ | CNY6.650 (CNY7.5145) |
| 500+ | CNY5.290 (CNY5.9777) |
| 1000+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 5000+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF04DN-T1-GE3
库存编号
复卷3350743RL
切割卷带3350743
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道108A
连续漏极电流 Id P沟道108A
漏源通态电阻N沟道3000µohm
漏源导通电阻P沟道3000µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212-SCD
针脚数8引脚
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
108A
漏源导通电阻P沟道
3000µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
108A
漏源通态电阻N沟道
3000µohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-SCD
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001