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SISF02DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.000 | CNY16.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.000 (CNY18.080) |
| 10+ | CNY10.290 (CNY11.6277) |
| 100+ | CNY6.940 (CNY7.8422) |
| 500+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 1000+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 5000+ | CNY4.940 (CNY5.5822) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF02DN-T1-GE3
库存编号
复卷3128861RL
切割卷带3128861
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道2700µohm
漏源导通电阻P沟道2700µohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
2700µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
2700µohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000109