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SISD5806DN-T1-UE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.320 (CNY20.7016) |
| 10+ | CNY12.740 (CNY14.3962) |
| 100+ | CNY9.470 (CNY10.7011) |
| 500+ | CNY7.510 (CNY8.4863) |
| 1000+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 5000+ | CNY5.990 (CNY6.7687) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY18.32 (CNY20.70 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
64A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212-F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
57W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
6900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen V Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001