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SIS990DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY13.320 | CNY13.32 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY13.320 (CNY15.0516) |
| 10+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 100+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 500+ | CNY4.380 (CNY4.9494) |
| 1000+ | CNY3.490 (CNY3.9437) |
| 5000+ | CNY3.300 (CNY3.729) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS990DN-T1-GE3
库存编号
复卷3772843RL
切割卷带3772843
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道12.1A
连续漏极电流 Id P沟道12.1A
漏源通态电阻N沟道0.071ohm
漏源导通电阻P沟道0.071ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道25W
耗散功率P沟道25W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
12.1A
漏源导通电阻P沟道
0.071ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
25W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
12.1A
漏源通态电阻N沟道
0.071ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001