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SIS9634LDN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY13.040 | CNY65.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY13.040 (CNY14.7352) |
| 10+ | CNY8.340 (CNY9.4242) |
| 100+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
| 500+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
| 1000+ | CNY3.490 (CNY3.9437) |
| 5000+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
17.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154