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SIS932EDN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.010 | CNY7.01 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.010 (CNY7.9213) |
| 10+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 100+ | CNY2.840 (CNY3.2092) |
| 500+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
| 1000+ | CNY1.700 (CNY1.921) |
| 5000+ | CNY1.650 (CNY1.8645) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS932EDN-T1-GE3
库存编号
复卷2846633RL
切割卷带2846633
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.018ohm
漏源导通电阻P沟道0.018ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数6引脚
耗散功率N沟道23W
耗散功率P沟道23W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
23W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.018ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074