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SIS890DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY10.730 | CNY53.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.730 (CNY12.1249) |
| 50+ | CNY8.960 (CNY10.1248) |
| 100+ | CNY7.180 (CNY8.1134) |
| 500+ | CNY5.210 (CNY5.8873) |
| 1500+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 9000+ | CNY3.990 (CNY4.5087) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS890DN-T1-GE3
库存编号
整卷4320196
复卷2283693RL
切割卷带2283693
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.0235ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散52W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SIS890DN-T1-GE3 是一款100VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于电信模块, 主侧开关, 同步整流应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 可配合5V栅极驱动器使用
- 无卤素
- -55至150°C工作温度范围
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0235ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000089