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SIS590DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY15.080 | CNY15.08 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.080 (CNY17.0404) |
| 10+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 100+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 500+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 1000+ | CNY3.150 (CNY3.5595) |
| 5000+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS590DN-T1-GE3复制
库存编号
复卷3765824RL
切割卷带3765824
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.197ohm
漏源导通电阻P沟道0.197ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道23.1W
耗散功率P沟道23.1W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.197ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
23.1W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.197ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
23.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005